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氮化鎵黑馬元拓高科發(fā)布GaNmosfet: 體積小，內(nèi)阻低，耐壓高，散熱快
深圳元拓高科作為國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司，集合了國(guó)內(nèi)外十?dāng)?shù)名資深功率器件資深專家，最新推出專門用于快充充電頭的氮化鎵Mos管YT65系列。該產(chǎn)品主要針對(duì)30W——120W 快充頭，體積小，內(nèi)阻低，耐壓高，集成度高，散熱快，助力用戶輕松設(shè)計(jì)充電頭。
該系列芯片具有以下優(yōu)勢(shì)：
1.體積小
YT65系列不同于業(yè)界普遍采用的QFN8*8封裝，采用DFN5*6的封裝，在追求小型化，大功率密度的設(shè)計(jì)中，節(jié)省了PCB空間, 大大簡(jiǎn)化了工程師布板的難度。
以下是參考設(shè)計(jì)demo,65W 1A1C；業(yè)績(jī)體積最小。功率密度達(dá)2.08w;
2.內(nèi)阻低
YT65系列中的YT65E15DAB為單體增強(qiáng)型設(shè)計(jì)，內(nèi)阻低至120mΩ，大大降低了MOS管在工作是的發(fā)熱，提高工作電流。
3.耐壓高
本公司所有系列的GaN產(chǎn)品，耐壓最低在750V以上，電路設(shè)計(jì)，電路保護(hù)，不發(fā)生炸機(jī)。降低了工程師在設(shè)計(jì)中的風(fēng)險(xiǎn)，對(duì)其他物料的選型不挑品牌。在缺物料的大環(huán)境市場(chǎng)行情中，更快設(shè)計(jì)，更快出品。
3.外圍簡(jiǎn)單
外圍電路簡(jiǎn)單，該芯片內(nèi)部?jī)?nèi)置驅(qū)動(dòng)，外圍設(shè)計(jì)非常簡(jiǎn)單，Vgs最大20V，可以直接驅(qū)動(dòng)，無需另外驅(qū)動(dòng)電路。少用10幾顆元器件，對(duì)于客戶BOM成本，加工成本都能降低，同時(shí)大大降低了生產(chǎn)工藝難度，易于生產(chǎn)。從而整體降低產(chǎn)品成本。
4.獨(dú)特封裝設(shè)計(jì)，散熱更快
采用DFN5*6的封裝，而且底部超大散熱面積，有效降低了熱量在芯片的疊加，增加了安全性。整個(gè)產(chǎn)品外殼的溫升也得到有效的控制。另外，獨(dú)特的EMI設(shè)計(jì)，整個(gè)充電頭過安規(guī)認(rèn)證也更容易。
