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冠禹KS1212DAT單N溝道高級(jí)功率 MOSFET

全新包裝/正品保證/進(jìn)口品牌/售后無憂

產(chǎn)品名稱:KS1212DAT單N溝道高級(jí)功率 MOSFET

產(chǎn)品型號(hào):KS1212DAT

代理品牌:kwansemi冠禹

產(chǎn)品封裝:TO-252封裝

交期時(shí)間:現(xiàn)貨一般當(dāng)天交貨,預(yù)定需電話詳情.

發(fā)貨貨倉(cāng):深圳、香港

熱門標(biāo)簽:KS1212DAT,KS1212DAT資料,KS1212DAT溝槽MOSFET

咨詢熱線:0755-83322522 在線咨詢

資料下載:kwansemi冠禹KS1212DAT溝槽MOSFET-封裝TO-252規(guī)格書

產(chǎn)品概況 產(chǎn)品特點(diǎn) 相關(guān)下載

單N溝道高級(jí)功率 MOSFET


特征

·100V/36A,

RDs(ON) =16mΩ(Typ.) @VGs=10V

RDs(on) =21mΩ(Typ.) @VGs=4.5V

·優(yōu)秀的QG RDS(on)產(chǎn)品(FOM)

·SGT科技

·100%雪崩測(cè)試


應(yīng)用

·電源開關(guān)應(yīng)用動(dòng)作

·LED背光


筆記:

①脈沖寬度受安全工作區(qū)限制。

②根據(jù)最大允許結(jié)溫計(jì)算出的連續(xù)電流。

③安裝在1平方英寸銅板上時(shí),t≤10sec。 任何給定應(yīng)用程序中的值

取決于用戶的具體電路板設(shè)計(jì)。

④受TJmax限制,IAS=12A,L=0.5mH,VDD=50V,RG=25Ω,啟動(dòng)TJ=25°C。

⑤脈沖測(cè)試;脈沖寬度≤300μs,占空比≤2%。

⑥設(shè)計(jì)保證,未經(jīng)生產(chǎn)測(cè)試。




Single N-Channel Advanced Power MOSFET


Features

·100V/36A,

RDs(ON) =16mΩ(Typ.) @VGs=10V

RDs(oN) =21mΩ(Typ.) @VGs=4.5V

·Excellent QG  RDS(on) product(FOM)

·SGT Technology

·100%Avalanche Tested


Applications

·Power Switching Appli action

·LED Backlighting



Notes:

①Pulse width limited by safe operating area.

②Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature.

③When mounted on 1 inch square copper board, t≤10sec. The value in any given application

depends on the user's specific board design.

④Limited by TJmax, IAS =12A, L=0.5mH, VDD = 50V, RG = 25Ω , Starting TJ = 25°C.

⑤Pulse test;Pulse width≤300μs, duty cycle≤2%.

⑥Guaranteed by design, not subject to production testing.


標(biāo)簽: mos mos管 TO-252 kwansemi冠禹
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0755-83322522

上班時(shí)間

9:00-18:00

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