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捷捷微電推出快充 (兼容標(biāo)準(zhǔn)和私有協(xié)議) 充電器芯片

發(fā)布時(shí)間：2024-01-08 欄目行業(yè)：產(chǎn)品知識(shí) 瀏覽次數(shù)：

輸出功率從 18W 到 100W (甚至 120W 或更大) 、支持快充協(xié)議 (USB PD3.0/3.1, USB BC1.2, UFCS T/TAF 083-2022, Qualcomm QCxx, MediaTek PExxx、Huawei S/FCP, Oppo D/FCP, Samsung AFC, Apple 2.4A, …)、配置一個(gè)或多個(gè) USB Type-A 及 Type-C 輸出接口的快充充電器日益普遍。它們可以一物多用，同時(shí)為智能手機(jī)、平板、智能手表及筆記本電腦等萬(wàn)物互聯(lián)數(shù)字化終端里面的鋰電池快速充電。采用第三代半導(dǎo)體功率器件（氮化鎵 D/E-mode HEMT）的設(shè)計(jì)，體積小巧以及使用時(shí)溫度不會(huì)燙手，由于因近年多家世界排名前列的智能手機(jī) OEM 不把充電器隨著新款手機(jī)一起標(biāo)配而形成曲棍球棒效應(yīng)，使得這類(lèi)小巧的快充充電器成為市場(chǎng)主流。
市場(chǎng)上的快充充電器，常用的交直流電源轉(zhuǎn)換拓?fù)涫?Flyback 及 LLC。Flyback 拓?fù)涑Ｒ?jiàn)于功率比較小的設(shè)計(jì)，LLC 拓?fù)鋭t常見(jiàn)于功率較大及對(duì)交直流電源轉(zhuǎn)換效率要求較高的設(shè)計(jì)。因?yàn)?BOM 相對(duì) LLC 拓?fù)浔容^簡(jiǎn)單，ACF-Flyback 拓?fù)湟查_(kāi)始被中/小功率的設(shè)計(jì)采用，特別是初級(jí)使用高壓氮化鎵 HEMT 的設(shè)計(jì)。無(wú)論是那種拓?fù)洌斐涑潆娖鞯膬?nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖大概如上：

針對(duì)快充充電器的成用，捷捷微電能提供完整的分立器件解決方案。比如，AC 輸入端防浪涌的 MOV、TVS、鉗制變壓器漏感而對(duì)原邊的高壓 MOSFETs VDS_Max 產(chǎn)生過(guò)壓的快恢復(fù)整流管、原邊 PFC (75W 以上的設(shè)計(jì)) 和匹配 PWM 的高壓 MOSFET、副邊同步整流中/低壓 MOSFETs、USB Type-A 及Type-C 端口的低壓 MOSFETs 及 ESD 保護(hù)等。

快恢復(fù)整流管產(chǎn)品推薦

Product Name	Charger's O/P (W)	IF(AV)_Max (A)	VRRM_Max (V)	IFSM_Max (A)	VF_Max (V)	@ IF (A)	IR_Max (mA)	CJ_Max (pF)	trr_Max (ns)	Package

RS1010FL	20 ~ 65	1.0	1000	25	1.3	1.0	5.0	7.0	500	SOD-123FL

RS1MAF	20 ~ 65	1.0	1000	30	1.3	1.0	5.0	7.0	500	SMAF

RS3MB	90 ~ 120	3.0	1000	100	1.3	3.0	5.0	30.0	500	SMB

US5M	90 ~ 120	5.0	1000	125	1.7	5.0	5.0	35.0	75	SMC

USB Type-A 及 Type-C 端口 ESD 保護(hù) 產(chǎn)品推薦

Product Name	Pin(s) Protected	Direction	VRWM_Max (V)	VBR_Min (V)	VC_Max (V)	@ IPP (A)	IR_Max (mA)	PPP_Max (W)	VESD-Air_Max (kV)	VESD-Contact_Max (kV)	CJ_Typ (pF)	Package

JEU24P3	VBUS	Uni-dir	24.0	26.0	35.0	200	0.50	5,100	±30	±30	750	DFN2x2-3L

JEU12N3	VBUS	Uni-dir	12.0	13.0	32.0	180	1.00	4,500	±30	±30	950	DFN2x2-3L

JEU12T2BL	CC0 / CC1	Uni-dir	12.0	13.0	26.0	20	0.15	500	±30	±30	90	SOT23

JEU05T2B	CC0 / CC1	Uni-dir	5.0	6.0	16.7	18	1.00	350	±15	±8	150	SOT23

JEB12C	D+ / D-	Bi-dir	12.0	13.3	30.0	12	1.00	350	±30	±30	1.0	SOD-323

JEB03CX	D+ / D-	Bi-dir	3.3	3.6	17.5	20	0.10	350	±30	±30	1.0	SOD-323

不論在原邊使用的是傳統(tǒng)的超結(jié)高壓 MOSFET、或是日益受電路設(shè)計(jì)工程師及消費(fèi)者追捧的氮化鎵 D/E-mode HEMT，在拓?fù)涞母边?，捷捷微電先進(jìn) JHFET^? 技術(shù)平臺(tái)超結(jié) (super-junction) 的高壓 MOSFETs 在原邊開(kāi)關(guān)、先進(jìn) JSFET^? 技術(shù)平臺(tái)的中/低壓 MOSFETs 在同步整流和在 USB-C^? 端口電流輸出開(kāi)關(guān)等位置，都能提供穩(wěn)定可靠而高功效的運(yùn)作。

建立在 JHFET 技術(shù)平臺(tái)的 650VDS_Max SJ N-MOSFETs，導(dǎo)通阻抗 RDS(ON) 低至 169mΩ、Qg 低至 9.7nC、Ciss 低至 333pF，所有產(chǎn)品均百分百通過(guò) UIS 測(cè)試。建立在 JSFET 技術(shù)平臺(tái)的 30 ~ 150 VDS_Max SGT N-MOSFETs，導(dǎo)通阻抗 RDS(ON) 低至 1.2mΩ、Qg 低至 7.7nC、FOM 低至 47，所有產(chǎn)品均百分百通過(guò) UIS 測(cè)試。憑借極低的 Ciss、Coss、Crss、Qg、和卓越的安全操作區(qū)域 (SOA) 等，這些功率器件能更有效地解決在終端應(yīng)用中存在的軟/硬開(kāi)關(guān)、電感負(fù)載、EMI 等難題。能夠有如此突出的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)電氣特性，是因?yàn)榻萁菸㈦姷淖杂兄R(shí)產(chǎn)權(quán) JSFET 及 JHFET 技術(shù)平臺(tái)，各項(xiàng)工藝參數(shù)早已躋身國(guó)際一流水平。

原邊 PFC 及 PWM 高壓 MOSFET 產(chǎn)品推薦

Product Name	JJM Package	Compatible Industry-Common Package	Platform	Configuration	VDS_Max (V)	ID_Max (A)	VGS(th)_Typ (V)	RDS(ON)_Typ @ VGS=10V (mΩ)	RDS(ON)_Max @ VGS=10V (mΩ)	VGS_Max (V)	Ciss_Typ (pF)	Qg_Typ (nC)	EAS_Max (mJ)	FOM	Applicability

JMH65R190APLN	DFN8080-4L	-	SJ	N	650	17	3.5	169	190	±20	1,560	38.0	405	6,422	for POUT > 100W

JMH65R190AF	TO-220FP-3L	-	SJ	N	650	20	3.5	170	190	±20	1,560	38.0	405	6,460	for POUT > 100W

JMH65R290APLN	DFN8080-4L	-	SJ	N	650	10	3.5	262	290	±20	1,056	22.0	281	5,764	for POUT≤100W

JMH65R290ACFP	TO-220FP-NL	-	SJ	N	650	12	3.5	260	290	±20	1,056	22.0	281	5,720	for POUT ≤ 100W

JMH65R430APLN	DFN8080-4L	-	SJ	N	650	10	3.5	370	430	±20	703	18.4	180	6808	for POUT≤ 65W

JMH65R430AF	TO-220FP-3L	-	SJ	N	650	11	3.5	364	430	±20	703	18.4	180	6,698	for POUT ≤ 65W

JMH65R430ACFP	TO-220FP-NL	-	SJ	N	650	11	3.5	364	430	±20	703	18.4	180	6,698	for POUT≤ 65W

JMH65R430AK	TO-252-3L	DPAK	SJ	N	650	11	3.5	370	430	±20	703	18.4	180	6,808	for POUT≤ 65W

JMH65R490AFFD	TO-220FP-3L	-	SJ	N	650	5	3.5	430	490	±20	677	20.0	180	8,600	for POUT≤45W

JMH65R980AFFD	TO-220FP-3L	-	SJ	N	650	4	3.5	895	980	±20	343	10.1	72	9,040	for POUT≤ 20W

JMH65R980AK	TO-252-3L	-	SJ	N	650	4	3.5	900	980	±20	333	9.7	80	8,730	for POUT≤20W

同步整流中壓 MOSFET 產(chǎn)品推薦

Product Name	JJM Package	Compatible Industry-Common Package	Platform	Configuration	VDS_Max (V)	ID_Max (A)	VGS(th)_Typ (V)	RDS(ON)_Typ @ VGS=10V (mΩ)	RDS(ON)_Max @ VGS=10V (mΩ)	VGS_Max (V)	Ciss_Typ (pF)	Qg_Typ (nC)	EAS_Max (mJ)	FOM	Applicability

JMSL0609AP	SOP-8L	SOP-8	SGT	N	60	14	1.7	7.5	9.5	±20	1,083	17.2	34	129	for POUT < 65W

JMSL0609AG	PDFN5x6-8L	SuperSO8	SGT	N	60	43	1.5	7.2	9.4	±20	1,087	16.6	34	120	for POUT < 65W

JMSL1003AG	PDFN5x6-8L	SuperSO8	SGT	N	100	135	1.6	2.8	3.4	±20	4,646	78.0	259	218	for POUT ≥ 100W

JMSL1004BG	PDFN5x6-8L	SuperSO8	SGT	N	100	117	1.7	3.4	4.1	±20	3,709	13.9	20	47	for POUT ≥ 100W

JMSL1006AG	PDFN5x6-8L	SuperSO8	SGT	N	100	108	1.9	4.7	5.9	±20	2,604	42.0	110	197	for POUT≥ 65W

JMSH1006AG	PDFN5x6-8L	SuperSO8	SGT	N	100	102	2.7	5.3	6.6	±20	2,369	38.0	110	201	for POUT≥ 65W

JMSL1008AG	PDFN5x6-8L	SuperSO8	SGT	N	100	93	1.7	6.0	7.6	±20	2,200	34.0	101	204	for POUT < 65W

JMSL1009AG	PDFN5x6-8L	SuperSO8	SGT	N	100	75	1.7	7.0	8.2	±20	1,314	25.0	86	175	for POUT < 65W

JMSL1010AG	PDFN5x6-8L	SuperSO8	SGT	N	100	58	1.9	8.0	10.0	±20	1,535	26.0	94	208	for POUT < 65W

JMSL1018AG	PDFN5x6-8L	SuperSO8	SGT	N	100	35	1.9	14.5	18.2	±20	769	13.0	29	189	for POUT < 65W

JMSL1018AP	SOP-8L	SOP-8L	SGT	N	100	8	1.9	15.8	19.8	±20	769	12.7	24	201	for POUT < 30W

JMSH1207AG	PDFN5x6-8L	SuperSO8	SGT	N	120	94	3.0	5.6	7.0	±20	2,208	35.0	135	196	for POUT ≥ 65W

JMSH1509AG	PDFN5x6-8L	SuperSO8	SGT	N	150	75	3.0	8.5	9.9	±20	2,181	30.0	231	255	for POUT < 65W

VBUS DFP 輸出端低/中壓 MOSFET 產(chǎn)品推薦

Product Name	JJM Package	Compatible Industry-Common Package	Platform	Configuration	VDS_Max (V)	ID_Max (A)	VGS(th)_Typ (V)	RDS(ON)_Typ @ VGS=10V (mΩ)	RDS(ON)_Max @ VGS=10V (mΩ)	VGS_Max (V)	Ciss_Typ (pF)	Qg_Typ (nC)	EAS_Max (mJ)	FOM	Applicability

JMTQ080P03A	PDFN3x3-8L	PQFN 3x3	Trench	P	-30	-45	-1.5	5.8	7.3	±20	4,650	45.0	144	261	for IOUT≥3A_D

JMTQ100P03A	PDFN3x3-8L	PQFN 3x3	Trench	P	-30	-40	-1.6	7.5	10.0	±20	3,564	37.0	121	278	for IOUT < 3A

JMSL0302AU	PDFN3x3-8L	PQFN 3x3	SGT	N	30	145	1.7	1.2	1.5	±20	2,975	39.0	101	47	for IOUT≥ 5A

JMSL0302BU	PDFN3x3-8L	PQFN 3x3	SGT	N	30	135	1.6	1.5	1.9	±20	2,526	40.0	94	60	for IOUT ≥ 5A

JMSL0303AU	PDFN3x3-8L	PQFN 3x3	SGT	N	30	119	1.6	1.8	2.2	±20	2,091	32.0	61	58	for IOUT≥ 5A

JMSL0310AU	PDFN3x3-8L	PQFN 3x3	SGT	N	30	60	1.7	4.0	5.0	±20	866	13.5	20	54	for IOUT < 5A

JMSL0315AU	PDFN3x3-8L	PQFN 3x3	SGT	N	30	43	1.7	7.0	8.8	±20	468	7.7	9	54	for IOUT < 3A

JMSL0315AUD	PDFN3x3-8L_D	-	SGT	N + N	30	36	1.7	8.8	11.0	±20	468	7.7	9	68	for IOUT ≤ 2A

JMSL0402AU	PDFN3x3-8L	PQFN 3x3	SGT	N	40	119	1.5	2.0	2.5	±20	2,131	36.0	126	72	for IOUT ≥ 5A

JMSL0403AU	PDFN3x3-8L	PQFN 3x3	SGT	N	40	99	1.6	2.5	3.1	±20	1,424	22.0	79	55	for IOUT≤ 5A

JMSL0406AU	PDFN3x3-8L	PQFN 3x3	SGT	N	40	55	1.7	4.5	5.6	±20	1,204	17.9	36	81	for IOUT < 5A

目前捷捷微電主要聚焦在消費(fèi)類(lèi)、電腦及周邊、工業(yè)用、通信用、及車(chē)用等的終端市場(chǎng)。因?yàn)樯钪a(chǎn)品必需跟應(yīng)用掛鉤，捷捷微電一直努力貼近市場(chǎng)和客戶，清楚認(rèn)識(shí)那些 JSFET 及 JHFET 的參數(shù)和特性，能讓客戶的產(chǎn)品兼具高能效和長(zhǎng)期可靠性，同時(shí)又保持高性價(jià)比。消費(fèi)者對(duì)體積和重量的不斷追求，因而移動(dòng) 3C (computing, communications, consumer electronics) 終端的充電器越來(lái)越短小，有限的內(nèi)殼空間使工作溫度升高，造成充電器內(nèi)部所用器件的穩(wěn)定性和效能方面的要求極為嚴(yán)苛。JSFET 及 JHFET輕松解決了電路設(shè)計(jì)工程師所面臨，合理成本和高電源轉(zhuǎn)換效率這兩個(gè)衝突的難題。JSFET 及 JHFET 采用先進(jìn)封裝如 PDFN3x3 / 5x6、TO-220 / 247 / 251 / 252 / 263、SOP-8 等，優(yōu)化的框架和引接工藝不僅有效地増強(qiáng)熱應(yīng)力處理、低降熱阻，同時(shí)也提升質(zhì)量和可靠性，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)且不含鹵素。

標(biāo)簽：

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