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捷捷微電推出新-代100VP溝道SGT MOSFET，JMPL1050AU采用薄小型PDFN3x3-8L封裝
2022年7月1日捷捷微電特此專題推出新-代100VP溝道SGT MOSFET.比起上一代設(shè)計(jì)，F(xiàn)OM 性能改善20%，實(shí)現(xiàn)國際領(lǐng)先。先進(jìn)PDFN3x3-8L及PDFN5x6-8L薄型封裝，比傳統(tǒng)SOP-8L及DPAK封裝，面積縮小64%及48%，高度降低45%及55%，極為適合緊湊型終端設(shè)計(jì)。同時(shí)，PDFN5x6-8L 的引腳具低應(yīng)力且長達(dá)0.275mm,極大程度地改善自動(dòng)光學(xué)檢測(AOI)印刷電路板組裝(PCBA) 的焊點(diǎn)良率,進(jìn)一步保證終端的穩(wěn)定工作和長期可靠性。
100V P溝道MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路相比N溝道MOSFET更加簡單，滿足超性能運(yùn)算(HPC)、工業(yè)5.0(IE) 、車載電子(Autonomous Driving System, ADS)后裝市場的「 高端負(fù)載、防反接電路、電池反向保護(hù)、B/BLDC 電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC降壓轉(zhuǎn)換的高邊開關(guān)J等應(yīng)用對(duì)系統(tǒng)長期穩(wěn)定運(yùn)作,陝?wù)瓚?yīng)用空間、及減少電路關(guān)鍵故障點(diǎn)的不斷需求。新一代P溝道JPFET9 性能達(dá)國際領(lǐng)先水平,主要電氣參數(shù)如RosOMLm和FOM均優(yōu)于國際-線半導(dǎo)體IDM同類產(chǎn)品。其中JMPL1050AU采用薄小型PDFN3x3-8L封裝，在Vs=10V條件下，器件的RosO.m及FOM測量
值分別低達(dá)38mQ 1 760，均為國際領(lǐng)先水平。此外，-流的線性模式1安全工作區(qū)(SOA) 特性，使器件在大電流的工作狀態(tài)下，仍能實(shí)現(xiàn)安全可靠的運(yùn)作。極低的導(dǎo)通電阻有助于提高運(yùn)行效能，降低系統(tǒng)成本，并延長器件的使用壽命。
