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地 址：深圳市福田區(qū)彩田南路2010號中深花園A座六層
產(chǎn)品名稱：松木ME4413D-G P溝道增強模式MOSFET管
產(chǎn)品型號：ME4413D-G/ME4413D
代理品牌：臺灣松木
產(chǎn)品封裝：SOP8
交期時間：現(xiàn)貨一般當天發(fā)貨，預訂具體需電話詳情.
發(fā)貨貨倉：深圳/香港
熱門標簽：松木ME4413D-G/ME4413D，P溝道MOS管
咨詢熱線：0755-83322522 在線咨詢
ME4413D / ME4413D-G，P溝道增強模式MOSFET，ESD保護
ME4413D-G一般說明：
ME4413D是使用高單元密度DMOS溝槽技術生產(chǎn)的P通道邏輯增強模式功率場效應晶體管。 這種高密度該工藝經(jīng)過特別設計，可最大程度地降低導通電阻。 這些設備特別適合于低電壓應用，例如手機和筆記本電腦計算機電源管理和其他電池供電的電路，它們需要使用非常小的外形表面安裝封裝來實現(xiàn)低的在線功率損耗。
ME4413D-G特征：
RDS（ON）≤13mΩ@VGS=-4.5V
RDS（ON）≦17mΩ@VGS=-2.5V
RDS（ON）≦26mΩ@VGS=-1.8V
超高密度電池設計，可實現(xiàn)極低的RDS（ON）
靜電防護
ME4413D-G應用領域：
筆記本中的電源管理
便攜式設備
電池供電系統(tǒng)
ME4413D/ME4413D，P-Channel Enhancement Mode Mosfet , ESD Protection
GENERAL DESCRIPTION
The ME4413D is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook
computer power management and other battery powered circuits where low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
FEATURES
RDS(ON) ≦13m?@VGS=-4.5V
RDS(ON) ≦17m?@VGS=-2.5V
RDS(ON) ≦26m?@VGS=-1.8V
Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
ESD protection
APPLICATIONS
Power Management in Note book
Portable Equipment
Battery Powered System
