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臺(tái)灣松木P溝道ME2307/ME2307-G mos管

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產(chǎn)品名稱(chēng):臺(tái)灣松木P溝道 30V(D-S)MOSFET

產(chǎn)品型號(hào):ME2307/ME2307-G

代理品牌:臺(tái)灣松木

產(chǎn)品封裝:SOT-23

交期時(shí)間:現(xiàn)貨一般當(dāng)天交貨,具體需電話詳情.

發(fā)貨貨倉(cāng):深圳/香港

熱門(mén)標(biāo)簽:P溝道ME2307-G,松木MEME2307,松木mos

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資料下載:臺(tái)灣松木P溝道ME2307/ME2307-G mos管產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

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  ME2307一般說(shuō)明:


  ME2307是P通道邏輯增強(qiáng)模式功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管,采用高單元密度的DMOS溝槽技術(shù)。 這種高密度工藝特別適合于最小化通態(tài)電阻。 這些設(shè)備特別適合低壓應(yīng)用,例如:作為手機(jī)和筆記本計(jì)算機(jī)的電源管理以及其他電池供電的電路,在非常小巧的表面貼裝封裝中,需要較低的在線功率損耗。


  ME2307應(yīng)用領(lǐng)域:


  ●筆記本中的電源管理


  ●便攜式設(shè)備


  ●電池供電系統(tǒng)


  ●負(fù)荷開(kāi)關(guān)


  ●DSC

臺(tái)灣松木P溝道ME2307/ME2307-G mos管產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

  GENERAL DESCRIPTION


  The ME2307 is the P-Channel logic enhancement mode power field  effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench  technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook  computer power management and other battery powered circuits


  where low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.


  APPLICATIONS


  ● Power Management in Note book


  ● Portable Equipment


  ● Battery Powered System


  ● Load Switch


  ● DSC


  ME2307特征:


  ●RDS(ON)≦70mΩ@ VGS = -10V


  ●RDS(ON)≦95mΩ@VGS=-4.5V


  ●超高密度電池設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)極低的RDS(ON)


  FEATURES


  ● RDS(ON) ≦70m?@VGS=-10V


  ● RDS(ON) ≦95m?@VGS=-4.5V


  ● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)


標(biāo)簽:
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