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臺灣松木P溝道ME20P06-G_60V(D-S)MOSFET

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產(chǎn)品名稱:P溝道ME20P06-G-60V(D-S)MOSFET

產(chǎn)品型號:ME20P06-G

代理品牌:臺灣松木

產(chǎn)品封裝:TO-252-3L

交期時間:現(xiàn)貨一般當天交貨,具體需電話詳情.

發(fā)貨貨倉:深圳/香港

熱門標簽:P溝道ME20P06-G,松木P溝道ME20P06-G,松木mos

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資料下載:臺灣松木P溝道ME20P06/ME20P06-G MOS管

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  ME20P06-G說明:


  ME20P06是采用高單元密度DMOS溝槽技術生產(chǎn)的P通道邏輯增強模式功率場效應晶體管。 這種高密度工藝經(jīng)過特別設計,可最大程度地降低導通電阻。 這些器件特別適合于低電壓應用,例如蜂窩電話和筆記本計算機電源管理以及其他電池供電的電路,并且在非常小的外形表面安裝封裝中需要低的在線功率損耗。

  ME20P06-G應用:


  ●筆記本中的電源管理

  ●DC / DC轉換器

  ●負荷開關

  ●液晶顯示逆變器


P溝道ME20P06-G-60V(D-S)MOSFET

ME20P06-G特征


  ●RDS(ON)≦78mΩ@ VGS = -10V

  ●RDS(ON)≦100mΩ@VGS=-4.5V

  ●超高密度電池設計,可實現(xiàn)極低的RDS(ON)

  ●出色的導通電阻和最大直流電流能力



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