聯(lián)系人：商務(wù)接待
電 話：0755-8332 2522
傳 真：0755-8364 8400
地 址：深圳市福田區(qū)彩田南路2010號中深花園A座六層
產(chǎn)品名稱：維安WMN04N65DM，650V N溝道功率MOSFET規(guī)格書
產(chǎn)品型號：WMN04N65DM
代理品牌：Wayon維安
產(chǎn)品封裝： TO-220F，TO-262 ，TO-252，TO-251，TO-251S2，TO-251S3
交期時間：現(xiàn)貨一般當(dāng)天交貨，預(yù)定需電話詳情.
發(fā)貨貨倉：深圳/香港/上海/蘇州
熱門標(biāo)簽：WMN04N65DM規(guī)格書，WMN04N65DM原理圖
咨詢熱線：0755-83322522 在線咨詢
描述
WMOSTM DM是硅N溝道增強型VDMOSFET，采用自對準(zhǔn)平面技術(shù)獲得，可降低導(dǎo)通損耗，提高開關(guān)性能，增強雪崩能量。 該晶體管可用于各種功率開關(guān)電路，以實現(xiàn)系統(tǒng)小型化和更高效率。
特征
快速切換
典型。 RDS(on) =2.3Ω
低柵極電荷（典型值 Qg = 12.5C）
典型。 Crss = 4.1pF
100% UIS 測試
應(yīng)用
LED照明、充電器、適配器、PC、液晶電視、服務(wù)器
Part Package Marking Packing method
WML04N65DM TO-220F WML04N65DM Tube
WMN04N65DM TO-262 WMN04N65DM Tube
WMO04N65DM TO-252 WMO04N65DM Tape and Reel
WMP04N65DM TO-251 WMP04N65DM Tube
WMH04N65DM TO-251S2 WMH04N65DM Tube
WMG04N65DM TO-251S3 WMG04N65DM Tube
Description
WMOSTM DM, the silicon N-channel enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency.
Features
Fast Switching
Typ. RDS(on) =2.3Ω
Low Gate Charge (Typ. Qg = 12.5C)
Typ. Crss = 4.1pF
100% UIS Tested
Applications
LED Lighting, Charger, Adapter, PC, LCD TV, Server
業(yè)務(wù)咨詢
微信咨詢
QQ咨詢
聯(lián)系電話
0755-8332 2522
在線留言
預(yù)約上門
返回頂部
