輸出功率從 18W 到 100W (甚至 120W 或更大) 、支持快充協(xié)議 (USB PD3.0/3.1, USB BC1.2, UFCS T/TAF 083-2022, Qualcomm QCxx, MediaTek PExxx、Huawei S/FCP, Oppo D/FCP, Samsung AFC, Apple 2.4A, …)、配置一個(gè)或多個(gè) USB Type-A 及 Type-C 輸出接口的快充充電器日益普遍。它們可以一物多用，同時(shí)為智能手機(jī)、平板、智能手表及筆記本電腦等萬(wàn)物互聯(lián)數(shù)字化終端里面的鋰電池快速充電。采用第三代半導(dǎo)體功率器件（氮化鎵 D/E-mode HEMT）的設(shè)計(jì)，體積小巧以及使用時(shí)溫度不會(huì)燙手，由于因近年多家世界排名前列的智能手機(jī) OEM 不把充電器隨著新款手機(jī)一起標(biāo)配而形成曲棍球棒效應(yīng)，使得這類(lèi)小巧的快充充電器成為市場(chǎng)主流。

市場(chǎng)上的快充充電器，常用的交直流電源轉(zhuǎn)換拓?fù)涫?Flyback 及 LLC。Flyback 拓?fù)涑Ｒ?jiàn)于功率比較小的設(shè)計(jì)，LLC 拓?fù)鋭t常見(jiàn)于功率較大及對(duì)交直流電源轉(zhuǎn)換效率要求較高的設(shè)計(jì)。因?yàn)?BOM 相對(duì) LLC 拓?fù)浔容^簡(jiǎn)單，ACF-Flyback 拓?fù)湟查_(kāi)始被中/小功率的設(shè)計(jì)采用，特別是初級(jí)使用高壓氮化鎵 HEMT 的設(shè)計(jì)。無(wú)論是那種拓?fù)洌斐涑潆娖鞯膬?nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖大概如上：

針對(duì)快充充電器的成用，捷捷微電 能提供完整的分立器件解決方案。比如，AC 輸入端防浪涌的 MOV、TVS、鉗制變壓器漏感而對(duì)原邊的高壓 MOSFETs VDS_Max 產(chǎn)生過(guò)壓的快恢復(fù)整流管、原邊 PFC (75W 以上的設(shè)計(jì)) 和匹配 PWM 的高壓 MOSFET、副邊同步整流中/低壓 MOSFETs、USB Type-A 及Type-C 端口的低壓 MOSFETs 及 ESD 保護(hù)等。

不論在原邊使用的是傳統(tǒng)的超結(jié)高壓 MOSFET、或是日益受電路設(shè)計(jì)工程師及消費(fèi)者追捧的氮化鎵 D/E-mode HEMT，在拓?fù)涞母边叄萁菸㈦娤冗M(jìn) JHFET^? 技術(shù)平臺(tái)超結(jié) (super-junction) 的高壓 MOSFETs 在原邊開(kāi)關(guān)、先進(jìn) JSFET^? 技術(shù)平臺(tái)的中/低壓 MOSFETs 在同步整流和在 USB-C^? 端口電流輸出開(kāi)關(guān)等位置，都能提供穩(wěn)定可靠而高功效的運(yùn)作。

建立在 JHFET 技術(shù)平臺(tái)的 650VDS_Max SJ N-MOSFETs，導(dǎo)通阻抗 RDS(ON) 低至 169mΩ、Qg 低至 9.7nC、Ciss 低至 333pF，所有產(chǎn)品均百分百通過(guò) UIS 測(cè)試。建立在 JSFET 技術(shù)平臺(tái)的 30 ~ 150 VDS_Max SGT N-MOSFETs，導(dǎo)通阻抗 RDS(ON) 低至 1.2mΩ、Qg 低至 7.7nC、FOM 低至 47，所有產(chǎn)品均百分百通過(guò) UIS 測(cè)試。憑借極低的 Ciss、Coss、Crss、Qg、和卓越的安全操作區(qū)域 (SOA) 等，這些功率器件能更有效地解決在終端應(yīng)用中存在的 軟/硬開(kāi)關(guān)、電感負(fù)載、EMI 等難題。能夠有如此突出的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)電氣特性，是因?yàn)榻萁菸㈦姷淖杂兄R(shí)產(chǎn)權(quán) JSFET 及 JHFET 技術(shù)平臺(tái)，各項(xiàng)工藝參數(shù)早已躋身國(guó)際一流水平。